CMP – Polissage Mécano-Chimique

Nous réclamons toujours plus de compacité et rapidité pour nos systèmes high-tech. Les wafers, fabriqués grâce au procédé CMP, atteignent une qualité sans précédent à l'échelle nanométrique.

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Qu’appelle-t-on procédé CMP ?

High purity alumina (HPA) slurry drops

Le CMP (Polissage Mécano-Chimique) – en anglais « Chemical Mechanical Polishing/Planarization » – est un procédé de polissage de haute précision. Il combine deux actions bien spécifiques. Premièrement, le procédé modifie les propriétés chimiques du substrat grâce à des agents chimiques. Dans le même temps, des particules abrasives très élaborées opèrent un traitement mécanique.

Propriétés du procédé CMP

Les experts recommandent le polissage mécano-chimique pour les applications très exigeantes telles que le polissage des semiconducteurs. En effet, ce procédé présente de remarquables propriétés :

  • Haute précision: plus on arrive à stocker de données sur un appareil, plus le design de celui-ci est précis. Les dispositifs de stockage sont souvent produits par dépôt de couches successives. Ces différentes couches sont ultra fines et se doivent d’être parfaitement planes avec une qualité de surface irréprochable. Il existe plusieurs moyens de mesurer la qualité de surface, comme par exemple le « Peak-to-Valley » (littéralement « du sommet au creux »). En effet, le PV mesure le delta de hauteur entre le point le plus haut et le point le plus bas de la surface polie. Les toutes dernières technologies de semiconducteurs requièrent un PV en dessous de l’Angstrom (10-10 m).
  • Utilisation rapide : le CMP est un procédé multi-étapes, relatives à la multitude de substrats à polir. Ainsi, l’objectif est d’optimiser la durée de chaque étape. Néanmoins, conserver un haut niveau de précision dans le polissage reste essentiel. Chaque étape dure déjà moins d’une minute !

Applications relatives au CMP

Vous savez maintenant que le polissage mécano-chimique est un procédé très exigeant. C’est pourquoi il intervient dans la fabrication de technologies de pointe contenant des semiconducteurs, comme les circuits intégrés ou les systèmes de mémoire.

Pourquoi choisir nos poudres et suspensions pour le CMP ?

Nous proposons de l’oxyde de cérium et de l’alumine haute pureté pour le procédé CMP.
Le polissage de la silice implique souvent des suspensions d’oxyde de cérium pour leur:

  • Cristallinité
  • Forme
  • Taille de particule
  • Distribution de tailles de particule
  • Pureté phasique hautement contrôlée

De plus, nous avons optimisé notre produit d’alumine ultrapure BRA pour le polissage du tungstène (W). En effet, il présente des propriétés remarquables de par notre contrôle des :

  • Composition phasique (contenance alpha vs gamma)
  • Taille des particules abrasive
  • Distribution de tailles des particules abrasives

CMP slurry for semicon polishing with wafer close-up

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